Wafer surface treatment for integrating laser diode and optical isolator by direct bonding

T. Mizumoto, H. Yokoi, M. Shimizu, T. Waniishi, N. Futakuchi, N. Kaida, Y. Nakano

研究成果: Paper査読

抄録

GaInAsP surfaces were investigated by contact angle measurement to estimate their hydrophilicity for completing wafer direct bonding. Wafer direct bonding was successfully achieved between O2 plasma activated GaInAsP and garnet crystals.

本文言語English
ページ1662-1664
ページ数3
DOI
出版ステータスPublished - 1998
外部発表はい
イベント5th Asia-Pacific Conference Communications and 4th Optoloelectronics Communications Conference, APCC/OECC 1999 - Beijing, China
継続期間: 1999 10 181999 10 22

Other

Other5th Asia-Pacific Conference Communications and 4th Optoloelectronics Communications Conference, APCC/OECC 1999
国/地域China
CityBeijing
Period99/10/1899/10/22

ASJC Scopus subject areas

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 電子工学および電気工学
  • 通信
  • コンピュータ ネットワークおよび通信

フィンガープリント

「Wafer surface treatment for integrating laser diode and optical isolator by direct bonding」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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